[3Da01-12] 表面分析・応用表面科学・評価技術

[3Da07S] Graphene-Oxide-Semiconductor型平面電子源を搭載したSEMの開発

*亀田 ゆきの^1,2、村上 勝久²、長尾 昌善²、三村 秀典¹、根尾 陽一郎¹ (1. 静岡大学電子工学研究所、2. 産業技術総合研究所)

MOS型平面電子源のゲート電極にグラフェンを用いたGraphene-Oxide-Semiconductor (GOS)型平面電子源は, 低電圧および低真空環境下で動作する. SEMにGOS電子源を用いることで,電子光学系や真空排気系を大幅に簡略化した低コストで小型, 高分解能なSEMの構成が期待できる. 本研究では, GOS電子源を用いたSEM像の観察および電子ビームの軌道評価を行った.