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[3Da07S] Graphene-Oxide-Semiconductor型平面電子源を搭載したSEMの開発
MOS型平面電子源のゲート電極にグラフェンを用いたGraphene-Oxide-Semiconductor (GOS)型平面電子源は, 低電圧および低真空環境下で動作する. SEMにGOS電子源を用いることで,電子光学系や真空排気系を大幅に簡略化した低コストで小型, 高分解能なSEMの構成が期待できる. 本研究では, GOS電子源を用いたSEM像の観察および電子ビームの軌道評価を行った.