[3Da01-12] 表面分析・応用表面科学・評価技術

[3Da08S] 電界誘起SFG分光法による駆動中OFETの電荷蓄積の観測

*大橋 直弥¹、田中 有弥^1,2、石井 久夫^1,2,3、宮前 孝行^1,3 (1. 千葉大学大学院融合理工学府、2. 千葉大学先進科学センター、3. 千葉大学分子キラリティ研究センター)

本研究では、ゲート誘電体層としてシリコン酸化膜およびHMDS単分子膜、半導体層としてDPh-BTBTを用いたOFETを駆動させ、チャネル形成過程を電界誘起SFG分光法によりプローブした。その結果、HMDSのメチル基由来の振動ピークとDPh-BTBTのフェニル基由来の振動ピークを確認しながら、電荷蓄積による内部電界の変化をプローブすることに成功した。それぞれの分子種と電荷蓄積の相関について議論する。