強度分布を有するエキシマレーザーアニール法を用いた高性能薄膜トランジスタの製作と評価

講演情報

口頭講演

D: レーザープロセシング

[D11-20a-VII] 表面改質

2023年1月20日(金) 10:45 〜 12:30 第VII会場 (12階 1202)

座長：屋代英彦（国立研究開発法人産業技術総合研究所電子光基礎技術研究部門　先進レーザープロセスグループ）

11:00 〜 11:15

*西田脩¹、岡次徹¹、片山慶太¹、中村大輔¹、後藤哲也³、池上浩^1,2 (1. 九州大学、2. 九大ギガフォトンNextGLP共同研究部門、3. 東北大学未来科学技術共同研究センター)

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