MMIJ 2015,Matsuyama

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一般ポスター発表【コアタイム】

湿式素材プロセッシング

Tue. Sep 8, 2015 4:00 PM - 5:30 PM メディアホール (愛媛大学)

[P-07] Oxygen evolution overpotential of ruthenium oxide thin films prepared by reactive sputtering

高橋知也1, 高橋弘樹1, 田口正美1, 鈴木一成2 (1.秋田大学大学院工学資源学研究科, 2.DOWAメタルマイン株式会社 製錬技術研究所)

Keywords:Ru酸化物, 酸素過電圧, 反応性スパッタ, 不溶性アノード, Zn電解採取

Zn電解採取における省電力の新規不溶性アノードとして,粉末圧延法により各種酸化物触媒を分散させたPb基アノードが製造された.その中で,RuO2を電極触媒として分散させたPb基アノードにおいて,著しいアノード電位の低下を確認できた.そこで,本研究では,反応性スッパタを用いてO/Ru比の異なる各種組成Ru酸化物薄膜を作製し,H2SO4水溶液中におけるアノード分極測定によって酸素過電圧を調査することにした.その結果,反応プラズマ中の酸素濃度25~100 vol.%において正方晶系RuO2薄膜が生成し,その酸素過電圧は同様の手法で作製したPbO2薄膜に比較して560 mV程度低いことが判明した.そのため,RuO2を電極触媒として分散させたPb基アノードの著しい電位低下は,Ru酸化物の低い酸素過電圧に起因すると結論できた.


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