15:15-17:15 (Poster session) High-temperature materials processing

[P084B] Development of High Strength Silicon Carbide Ceramics

○Naru Shinohara¹, Mikito Kitayama¹ (1. Fukuoka Institute of Technology)

Keywords:Silicon carbide ceramics, β-silicon nitride, Composite

炭化ケイ素（SiC）セラミックスは、高熱伝導率や耐摩耗性, 耐熱性など優れた特性を有しているが、低強度･低靱性な材料であり、大型化･複雑形状化が難しいため、これまで多くのSiC/Si₃N₄複合材料に関する研究が成されてきた。従来はSiC粒子やウィスカー等を用いてSi₃N₄焼結体を強化したSiC/Si₃N₄複合材料（SiC＜Si₃N₄）に関する研究が主であり、SiCにSi₃N₄を複合化する（SiC＞Si₃N₄）研究はほとんど無い。本研究はSiCセラミックスを高強度化するため、β-Si₃N₄で強化したSiC/Si₃N₄複合材料（SiC＞Si₃N₄）の開発を目的とし、新規作製方法を提案する。具体的には、β-Si₃N₄多孔体にフェノール樹脂を含浸･熱処理することでC/Si₃N₄多孔体を作製後、Siを含浸する方法を検討した。しかし、樹脂の含浸が不十分なことから、緻密な複合材料を作製できなかった。次にSiC微粉末とβ-Si₃N₄ウィスカー粉末の混合粉末に焼結助剤を添加し、ホットプレス焼結することで緻密なSiC/Si₃N₄複合材料を作製し、β-Si₃N₄ウィスカー添加量が強度に及ぼす効果を検討した。