Inverted Stranski-Krastanov Growth of ZnO Based Semiconductors for Excitonic Devices

Naho Itagaki

講演情報

Oral Session

D. Frontiers of Advanced Electronic Materials » [D-2] Frontier in Functional Oxides and Related Materials: from Materials Design to Device Applications

[D2-O2] Slot 02

2021年12月13日(月) 13:30 〜 17:00 Room A (G401)

Chair: Andreas Klein (Technische Universität Darmstadt), Junjun Jia (Waseda University, JAPAN)

16:20 〜 16:45

[D2-O2-08 (Symposium Invited)] Inverted Stranski-Krastanov Growth of ZnO Based Semiconductors for Excitonic Devices

*Naho Itagaki¹ (1. Kyushu Univ. (Japan))

キーワード：ZnO, Inverted Stranski-Krastanov growth, Heteroepitaxy, Excitonic transistor, Sputtering

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