Fabrication and characterization of resistive random-access memory device using amorphous 12CaO• 7Al2O3

14:00 〜 15:30

[D3-PR13-05] Fabrication and characterization of resistive random-access memory device using amorphous 12CaO• 7Al2O3

*Tasuke Kadono¹, Keisuke Ide¹, Takayoshi Katase¹, Hidenori Hiramatsu¹, Hideo Hosono¹, Toshio Kamiya¹ (1. Tokyo Institute of Technology (Japan))

キーワード：Amorphous oxide, resistive random-access memory, C12A7

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