スケジュール 0 13:30 〜 15:30 [21P-68] ヘリウムプラズマ照射によるSiC材料の表面変化 *山下 直人1、大森 晃平1、木村 好博1、文 一樹1、檜木 達也2、伊庭野 健造1、リ ハンテ1、上田 良夫1 (1. 阪大院工、2. 京大エネ理工研) 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証