[C-3/4] 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス

[C-3/4-10] Investigation of III-V/Si Highly Efficient Connecting Structure Using Tapered Asymmetric Directional Coupler

^○内田啓太¹, 佐藤孝憲¹, 藤澤剛¹, 澤田祐甫², 御手洗拓矢², 平谷拓生², 沖本拓也², 石川務², 藤原直樹², 八木英樹², 齊藤晋聖¹ (1.北大, 2.住友電工/PETRA)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

Keywords:異種材料光集積、光導波路デバイス

III-V族化合物半導体から成る高効率な光学素子をSOIプラットフォーム上に多機能集積する異種材料集積に関する研究が近年活発に行われている．InP系導波路とSi導波路間の代表的な光接続構造として多段テーパ構造が報告されているが，高効率結合の実現に向けては，400 nm以下のInP系導波路のテーパ先端幅が要求される．高いアスペクト比であり，作製難度の改善が求められる．前回，断熱変換となるようテーパ長を200 µmとし高効率接続構造を検討したが，今回は，小型化を目指してテーパ長を20 µmの非対称方向性結合器 (ADC: Asymmetric Directional Coupler) とした．小型化に伴って生ずる非断熱変換による位相整合条件を満たすように設計し，Cバンド全域で動作する構造の設計を行ったので報告する．