[C-3/4] 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス

[C-3/4-5] 次世代エッジ/クラウドコンピューティング基盤におけるシリコンフォトニクス光スイッチング素子の特性評価

^○竹内大輔¹, 植之原裕行² (1.東工大, 2.東工大)

キーワード：エッジ/クラウドコンピューティング、シリコンフォトニクス、マルチコアファイバ

Beyond 5Gにおける低遅延性実現を目的としたエッジ/クラウドコンピューティング基盤におけるマイクロデータセンターのリソースの制限の解決策として、マルチコアファイバを用いた空間分割多重型エッジ間連携を検討し、光スイッチングシステムでの利用を想定した超小型・高密度集積可能なシリコンフォトニクス集積素子の光スイッチを複数信号が共有しクロストークの影響を避ける性能が求められる。そこで今回、複数経路を信号が通過する状況をレイヤ1・2レベルで評価したところ、NWテスタ信号がOSWを共存する場合・しない場合でBER<10-9、25GbE信号に対して10-7レベルのBERの結果を得た。