[PS-13-04] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS₂ Film by Low-Temperature Forming-Gas Annealing for 3D-IC

^○J. Shimizu¹, T. Ohashi¹, K. Matsuura¹, I. Muneta¹, K. Kakushima¹, K. Tsutsui¹, H. Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech(Japan))

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[PS-13-05] Combination of Synthesis and Post-synthesis Approaches for the Preparation of Single-Walled Carbon Nanotubes with a High Percentage of Semiconductor-type

^○S. Sakurai¹, S. Li^1,3, M. Yamada¹, H. Sakurai^1,2, A. Sekiguchi¹, F. Tanaka^1,2, D. Futaba¹, K. Hata¹ (1.AIST(Japan), 2.TASC(Japan), 3.National Univ. of Singapore(Singapore))

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[PS-13-06] Centimeter-scale High-performance Few-layer MoS₂ Fabricated by RF Magnetron Sputtering and Subsequent Post-deposition Annealing

^○S. Ishihara^1,3, Y. Hibino¹, N. Sawamoto¹, T. Ohashi², K. Matsuura², H. Wakabayashi², A. Ogura¹ (1.Meiji Univ.(Japan), 2.Tokyo Tech(Japan), 3.Research Fellow of JSPS(Japan))

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[PS-13-07] Thin Film Transistors with Length-sorted Single-wall Carbon Nanotubes

^○Y. Kuwahara¹, F. Nihey², T. Saito¹ (1.AIST(Japan), 2.NEC Corp.(Japan))

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[PS-13-08] Growth of Graphene/3C-SiC (111)/4H-SiC (0001) by a Sublimation Technique with a Vertical Infrared-Lamp Annealer

^○Y. Sekine¹, K. Kumakura¹, H. Hibino^1,2 (1.NTT BRL(Japan), 2.Kwansei Gakuin Univ.(Japan))

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[PS-13-09] Effects of Nickel Doping on the Optical and Electrical Properties of MoS₂ Photodetectors

^○Z. W. Chen¹, T. S. Ko¹, D. Y. Lin¹, J. Suh², Z. S. Chen¹ (1.National Changhua Univ. of Edu.(Taiwan), 2.Cornell Univ.(USA))

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[PS-13-10] Fabrication of Graphene/Diamond Heterojunctions and Their Electronic Properties

^○K. Ueda¹, S. Tanaka¹, H. Asano¹ (1.Nagoya Univ.(Japan))

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[PS-13-11] Structural and Optical Properties of Wurtzite InP/AlInP Core-Multishell Nanowires

^○F. Ishizaka¹, Y. Hiraya¹, K. Tomioka^1,2, J. Motohisa¹, T. Fukui¹ (1.Hokkaido Univ.(Japan), 2.JST-PRESTO(Japan))

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[PS-13-12] Photoelectrochemical Properties of Wurtzite Gallium Phosphide Nanowires grown on GaP (111)B substrates

^○K. Tateno^1,2, Y. Ono³, K. Kumakura¹ (1.NTT BRL(Japan), 2.NTT Nanophotonics Center(Japan), 3.NTT Device Tech. Labs.(Japan))

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[PS-13-13] Improvement of Silicon Nanowire Solar Cells Made by Metal Catalyzed Electroless Etching and Nano-imprint Lithography

^○J. Chen^1,2, T. Subramani¹, W. Jevasuwan¹, N. Fukata^1,2 (1.NIMS(Japan), 2.Univ. of Tsukuba(Japan))

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