[28a-G11-1~9] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28a-G11-7] △MOCVD n-GaN の正孔トラップの評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（M1）Zecheng Liu¹，曹佳棟¹，石川健治¹，堀勝¹，松村俊哉²，阿比留明洋²，小島旭²，本田銀熙²，徳田豊²，上田博之³，成田哲生³，上杉勉³，加地徹³ (名大工¹，愛知工大²，豊田中研³)

キーワード：n-GaN