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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月17日(水) 13:15 〜 18:45 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:45

[17p-C5-1] 「応用物理学会解説論文賞受賞記念講演」（30分）
ワイドギャップ半導体材料－花満開に向けて－

^○藤田静雄 (京大)

13:45 〜 14:00

[17p-C5-2] 周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析

^○（M2）荒内琢士¹，竹内正太郎¹，橋本健宏²，中村芳明¹，今井康彦³，山根啓輔²，岡田成仁²，木村滋³，只友一行²，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，山口大院理工²，JASRI/SPring-8³)

14:00 〜 14:15

[17p-C5-3] X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

^○（M1）内山星郎¹，竹内正太郎¹，荒内琢士¹，橋本健宏²，中村芳明¹，山根啓輔²，岡田成仁²，只友一行²，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，山口大院理工²)

14:15 〜 14:30

[17p-C5-4] 放射光X線によるNaフラックス法GaN単結晶基板の結晶性評価

^○（M2）福田修平¹，津坂佳幸¹，高野秀和¹，篭島靖¹，野瀬惣市²，竹田晋吾²，横山和司²，松井純爾²，今西正幸³，轟夕摩³，丸山美帆子³，今出完³，吉村政志³，森勇介³ (兵県大院物質理¹，兵庫放射光ナノテク研²，阪大院工³)

14:30 〜 14:45

[17p-C5-5] ハイドライド気相成長におけるGaNテンプレートの品質がGaN基板に与える影響

^○江上卓也，山本健志，稲垣卓志，板垣憲広，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

14:45 〜 15:00

[17p-C5-6] HVPE成長した半極性{20-21} 面GaNと{20-2-1} 面GaNの結晶性比較

^○橋本健宏¹，稲垣卓志¹，中尾洸太¹，山根啓輔²，岡田成仁¹，只友一行¹ (山口大¹，豊橋技術科学大²)

休憩15:00～15:15 (15:00 〜 15:15)

15:15 〜 15:30

[17p-C5-7] Ga2Oを用いたGaN気相成長法における温度分布の影響

^○高津啓彰¹，谷山雄紀¹，重田真実¹，隅智亮¹，北本啓¹，今出完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森勇介¹ (阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス²)

15:30 〜 15:45

[17p-C5-8] Ga₂OをGa源としたGaN結晶成長における種基板表面状態の影響

^○北本啓¹，卜淵¹，高津啓彰¹，重田真実¹，隅智亮¹，今出完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森勇介¹ (阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス²)

15:45 〜 16:00

[17p-C5-9] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因

^○東城俊介¹，田中凌平¹，額賀俊成¹，富樫理恵¹，永島徹²，木下亨²，Baxter Moody³，村上尚¹，Ramon Collazo⁴，熊谷義直¹，Zlatko Sitar^3,4 (農工大院工¹，トクヤマ²，HexaTech, Inc.³，North Carolina State University⁴)

16:00 〜 16:15

△ [17p-C5-10] 多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成

^○（M2）陳鳴宇¹，永冶仁¹，渡邉将太¹，竹内幸久¹，原田俊太¹，荒井重勇²，田川美穂¹，宇治原徹¹ (名大院工¹，名大エコトピア研²)

16:15 〜 16:30

△ [17p-C5-11] AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定

^○（M2）永冶仁，陳鳴宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

休憩16:30～16:45 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:15

[17p-C5-12] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Epitaxial Growth of III-Nitride/Graphene Heterostructures for Electronic Devices

^○Neeraj Nepal，Virginia D. Wheeler，Travis J. Anderson，Francis J. Kub，Michael A. Mastro，Rachael L. Myers-Ward，Syed B. Qadri，Jaime A. Freitas Jr.，Sandra C. Hernandez，Luke O. Nyakiti，Scott G. Walton，Kurt Gaskill，Charles R. Eddy, Jr. (米海軍研)

17:15 〜 17:30

[17p-C5-13] 前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長

^○小島千恵，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

17:30 〜 17:45

△ [17p-C5-14] 反応性スパッタ法によるGaN薄膜のエピタキシャル成長

^○磯崎勇児¹，山下雄一郎²，八木貴志²，賈軍軍¹，竹歳尚之²，中村新一¹，重里有三¹ (青学大理工¹，産総研²)

17:45 〜 18:00

[17p-C5-15] 反応性パルスDCスパッタ法により作製したAlN膜の表面構造および結晶性に及ぼすスパッタ圧力の影響

^○（M1）竹内洋仁，大塚誠，福山博之 (東北大多元研)

18:00 〜 18:15

[17p-C5-16] パルススパッタ法によるhcp金属基板上への窒化物薄膜成長

^○金惠蓮¹，太田実雄¹，田中龍太¹，小林篤¹，上野耕平¹，藤岡洋^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

18:15 〜 18:30

[17p-C5-17] UHVスパッタエピタキシー法によるInN層の成長(Ⅱ)

^○（M2）多田暁由，小橋勇希，福井迪，神田赳志，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大工)

18:30 〜 18:45

[17p-C5-18] UHV スパッタエピタキシー法によるInN 層の成長 (III)

^○（M2）福井迪，小橋勇希，多田暁由，神田赳志，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大工)