^〇Kim Min Ju，Woo Kie Young，Lee Byeong Ryong，Kim Sukwon，Shin Hee Woong，Park Tae Hoon，Kim Kyeong Heon，Kim Su Jin，Kim Tae Geun (School of Electrical Engineering, Korea Univ.)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-18] Ta:SnO₂透明導電膜における低基板温度でのシード層の有効性

^○中尾祥一郎^1,2，山田直臣³，廣瀬靖^1,2,4，長谷川哲也^1,2,4 (KAST¹，CREST²，中部大³，東大理⁴)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-19] 酢酸塩を原料としたゾルゲル法によるCuAlO₂薄膜の形成

阿部寛¹，阿部清晃¹，飯坂涼¹，佐藤拓哉¹，^○惠原貴志^1,2 (石巻専修大理工¹，石巻専修大人間²)

16:00 〜 18:00

△ [17p-PA5-20] エアブラシを用いた塗布法によるn型およびp型酸化亜鉛ナノ粒子層の作製と評価

^○（M1）糸原大貴，篠原風人，吉田俊幸，藤田恭久 (島根大)

16:00 〜 18:00

▲ [17p-PA5-21] PEDOT:PSS and MoOx doped-Reduced Graphene Oxide/Single Walled Carbon Nanotubes Hybrid Film-Based Transparent Conductive Electrodes for Light Emitting Diodes

^〇Byeong Ryong Lee，Kyeong Heon Kim，Kie Young Woo，Sukwon Kim，Hee Woong Shin，Su Jin Kim，Tae Geun Kim (School of Electrical Engineering, Korea University)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-22] ZnO-SnO₂薄膜を用いたTFTの低温形成（Ⅲ）

^○佐藤和郎，山田義春，村上修一，筧芳治，櫻井芳昭 (大阪府立産技研)

一般セッション(口頭講演)

[18a-A12-1~9] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月18日(木) 09:15 〜 11:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

△ [18a-A12-1] レーザープロセスを利用したZnOナノ・マイクロ結晶のパターン成長

^○（D）下垣哲也¹，川原裕貴¹，中尾しほみ¹，原田浩輔¹，高橋将大¹，東畠三洋¹，中村大輔¹，中田芳樹²，岡田龍雄¹ (九大システム情報科学府¹，阪大レーザーエネルギー学研究センター²)

09:30 〜 09:45

[18a-A12-2] 焼成酸化亜鉛マイクロ微粒子におけるランダムレーザー発振特性

^○（M2）薗田翔平，中村俊博，安達定雄 (群馬大院理工)

09:45 〜 10:00

[18a-A12-3] ZnOの電子伝導における電荷補償と電子状態の考察

^○大澤健男，橋口未奈子，坂口勲，大橋直樹 (物材機構)

10:00 〜 10:15

[18a-A12-4] ZnO Anti-Stokesフォトルミネッセンスに関与する中間準位の性質

^○藤井克司¹，後藤武生²，八百隆文³ (東大GS+I¹，理研²，産総研³)

10:15 〜 10:30

[18a-A12-5] 銀ナノ粒子の表面プラズモン共鳴効果による酸化亜鉛薄膜の欠陥からの可視発光の増強

^○（M1）肖貴宝，中村俊博，安達定雄 (群馬大院理工)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-A12-6] In₂O₃:Snナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴とその近赤外応用

^○松井裕章¹，古田晋也²，長谷部貴之³，蓮池紀幸⁴，田畑仁¹ (東大¹，巴製作所²，税関中央分析所³，京都工繊大⁴)

11:00 〜 11:15

△ [18a-A12-7] 移動度200 cm²V^-1s^-1を超える非晶質ZnO_xN_y薄膜の合成

^○山崎崇範¹，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，原山勲⁴，関場大一郎⁴，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，UTTAC⁴)

11:15 〜 11:30

△ [18a-A12-8] アモルファスIZO, IGO, IGZO薄膜の結晶化(1)：IZOとIGO薄膜の結晶化挙動

^○賈軍軍，早瀬礼，吉田匡佑，中村新一，重里有三 (青学大理工)

11:30 〜 11:45

△ [18a-A12-9] アモルファスIZO,IGO,IGZO薄膜の結晶化(2):IGZOの結晶化挙動とデバイス特性

^○須古彩香¹，賈軍軍¹，中村新一¹，川嶋絵美²，宇都野太²，矢野公規²，重里有三¹ (青学大理工¹，出光興産²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A12-1~16] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月18日(木) 13:15 〜 17:30 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[18p-A12-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
ZnO溶液ゲート電界効果トランジスタを用いたバイオセンサの開発

^○大仲崇之，池谷謙，小池一歩，広藤裕一，前元利彦，佐々誠彦，矢野満明 (大工大ナノ材研センタ)

13:30 〜 13:45

[18p-A12-2] ナノサイズ結晶を有するIGZO薄膜の結晶性について

^○黒澤陽一，野中裕介，石原典隆，太田将志，山田良則，西野信也，山﨑舜平 (半エネ研)

13:45 〜 14:00

[18p-A12-3] IGZO薄膜における結晶性の成膜条件依存性

^○山田良則，下村明久，野中裕介，石原典隆，山﨑舜平 (半エネ研)

14:00 〜 14:15

△ [18p-A12-4] スピンコート法で作製したIGZO薄膜の特性に与える焼成温度と時間の影響

^○陳東京¹，森本貴明¹，福田伸子³，大木義路^1,2 (早大¹，材研²，産総研FLEC³)

14:15 〜 14:30

[18p-A12-5] 酸化物半導体の低温化・短時間焼成プロセスの検討

^○（PC）鄭恵貞，小倉晋太郎，酒井平祐，吉田学，牛島洋史，植村聖，福田伸子 (産総研,フレキシブル)

14:30 〜 14:45

▼ [18p-A12-6] Suppression of hump effect in a-InGaZnO thin-film transistors passivated by novel photosensitive passivation layer

^〇（DC）Juan Paolo Bermundo¹，Yasuaki Ishikawa¹，Haruka Yamazaki¹，Kulchaisit Chaiyanan¹，Mami Fujii¹，Toshiaki Nonaka²，Yukiharu Uraoka¹ (NAIST¹，AZ Electronic Materials²)

14:45 〜 15:00

[18p-A12-7] 大型スパッタカソードにおけるIGZO TFT特性の均一性向上

^○磯部辰徳，新井真，清田淳也，齋藤一也 (アルバック)

15:00 〜 15:15

[18p-A12-8] 低温プロセスで作製したa-IGZO TFTの特性評価

^○高梨泰幸，越智元隆，後藤裕史，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

休憩15:15～15:30 （15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[18p-A12-9] 自己組織化単分子膜（SAM）によるa-InGaZnO/SiOx界面の修飾

^○（DC）戸田達也，是友大地，古田守 (高知工大)

15:45 〜 16:00

[18p-A12-10] 塗布型InZnO-FETsの動作安定性

^○岡田純¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，内藤裕義^1,2 (大阪府立大¹，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研²)

16:00 〜 16:15

[18p-A12-11] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (1)

^○竹知和重¹，田邉浩¹，岩松新之輔²，矢作徹²，阿部泰²，小林誠也² (NLTテクノロジー¹，山形県工業技術センター²)

16:15 〜 16:30

[18p-A12-12] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (2)

^○竹知和重¹，田邉浩¹，岩松新之輔²，矢作徹²，阿部泰²，小林誠也² (NLTテクノロジー¹，山形県工業技術センター²)

16:30 〜 16:45

[18p-A12-13] トップゲート効果を活用したa-InGaZnO TFT pHセンサ (3)

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，NLTテクノロジー²)

16:45 〜 17:00

△ [18p-A12-14] AZO薄膜を電極に用いた透明酸化亜鉛薄膜トランジスタ

^○孫屹，前元利彦，佐々誠彦 (大工大ナノ材研センタ)

17:00 〜 17:15

[18p-A12-15] 低温プロセスで高移動度かつ高安定なa-InWO TFT

^○（PC）木津たきお，相川慎也，三苫伸彦，清水麻希，高旭，林孟芳，生田目俊秀，塚越一仁 (物材機構)

17:15 〜 17:30

△ [18p-A12-16] シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ

^○（PC）三苫伸彦，相川慎也，高旭，木津たきお，清水麻希，林孟芳，生田目俊秀，塚越一仁 (物材機構WPI-MANA)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A12-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月19日(金) 09:00 〜 11:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[19a-A12-1] 高キャリア密度 Ga 添加 ZnO 薄膜における近赤外光領域での光学損失：プラズモニクス応用へ

^○山本哲也，野本淳一，牧野久雄 (高知工科大総研)

09:15 〜 09:30

[19a-A12-2] Ga添加ZnO薄膜における表面化学状態に対する熱処理効果

^○牧野久雄^1,2，宋華平¹，岸本誠一³，野本淳一¹，山本哲也¹ (高知工科大総研¹，高知工科大システム工²，高知高専機械³)

09:30 〜 09:45

△ [19a-A12-3] クリティカルレイヤーを用いたスパッタAl添加ZnO透明電導電膜のキャリア輸送制御

^○野本淳一，牧野久雄，山本哲也 (高知工科大総研)

09:45 〜 10:00

[19a-A12-4] 表面テクスチャAZO透明導電膜の光吸収と電気的・結晶学的特性との関係

^○宮田俊弘，山中俊憲，宇於崎涼介，南内嗣 (金沢工大OEDS R&Dセンター)

10:00 〜 10:15

[19a-A12-5] 付着金属の電気化学効果によるTiO₂薄膜への電子ドープ

^○矢嶋赳彬，小池豪，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[19a-A12-6] 微粒子層導入によるFTOガラスの高ヘイズ化と色素増感太陽電池への応用

^○大塚玲奈，高野貴文，村上遼，奥谷昌之 (静岡大院工)

10:45 〜 11:00

△ [19a-A12-7] スプレーCVD法によるTaドープSnO₂透明導電膜の作製と評価

^○白井寛之，服部祐樹，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大院)

11:00 〜 11:15

△ [19a-A12-8] 大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，藤田静雄¹ (京大院工¹，高知工大システム工学²)

11:15 〜 11:30

[19a-A12-9] ディップコートシード層への水溶液法によるZnO 薄膜の作製

^○（M2）松本拓也，安部功二 (名工大院)

11:30 〜 11:45

[19a-A12-10] ゾル-ゲル法によるMgO基板上へのNiO薄膜の作製

^○國分義弘，天野優太，阿部隆大，中込真二 (石巻専修大理工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A12-1~16] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月19日(金) 13:15 〜 17:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:45

[19p-A12-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
High-Efficiency Cu₂O-Based Heterojunction Solar Cells Fabricated Using a Ga₂O₃ Thin Film as N-Type Layer

南内嗣，^○西祐希，宮田俊弘 (金沢工大)

13:45 〜 14:00

[19p-A12-2] ビス(2,4-ペンタンジオナト)-銅(II)を用いた常圧MOCVD法によるCu2O薄膜の作製

^○寺村瑞樹，谷口凱，石川博康 (芝浦工大)

14:00 〜 14:15

[19p-A12-3] X線逆格子マップ測定によるc面サファイア基板上のalpha-MoO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造解析

^○稲葉克彦¹，小林信太郎¹，八木信治²，松尾昌幸²，小池一歩²，原田義之²，佐々誠彦²，矢野満明² (リガク¹，大阪工大²)

14:15 〜 14:30

△ [19p-A12-4] サファイア基板への酸化タングステン薄膜の分子線エピタキシャル成長

^○（M2）八木信治¹，松尾昌幸¹，小池一歩¹，原田義之¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，稲葉克彦² (大工大ナノ材研センタ¹，リガクX線研究所²)

14:30 〜 14:45

[19p-A12-5] ミストCVD法による酸化ガリウムバッファ層を用いたコランダム型In₂O₃薄膜の作製

^○（B）須和祐太，川原村敏幸 (高知工大シス工)

14:45 〜 15:00

[19p-A12-6] α-In₂O₃薄膜のn型導電性の起源に関する考察

^○北島雅士，鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄 (京大院工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-A12-7] α-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜の電気特性評価

^○伊藤義人，北島雅士，鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄 (京大院工)

15:15 〜 15:30

[19p-A12-8] ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析

^○（D）野村一城¹，後藤健²，富樫理恵¹，村上尚¹，熊谷義直¹，倉又朗人²，山腰茂伸²，纐纈明伯¹ (東京農工大院工¹，タムラ製作所²)

休憩15:30～15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [19p-A12-9] (-201)及びB面β-Ga₂O₃単結晶のシンクロトロン単色X線トポグラフィー観察

^○（M1）桝谷聡士¹，村上竜一¹，輿公祥²，倉又朗人²，飯塚和幸²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，タムラ製作所²)

16:00 〜 16:15

[19p-A12-10] β-Ga2O3基板の結晶欠陥評価

^○永井哲也，野網健悟，中居克彦，二木登史郎 (日鉄住金テクノロジー)

16:15 〜 16:30

[19p-A12-11] 大気圧プラズマCVD法を用いたβ-Ga₂O₃薄膜の成長II

^○（M1）木口拓也¹，野瀬幸則¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，積水インテグレーテッドリサーチ²)

16:30 〜 16:45

[19p-A12-12] Ga₂O₃の結晶多形 -基板と成長ガスの影響-

^○赤沢方省 (NTT MI研)

16:45 〜 17:00

[19p-A12-13] Snドープおよびノンドープα-(Al_1-xGa_x)₂O₃薄膜のXPS測定

^○鈴木健太，金子健太郎，伊藤義人，赤岩和明，藤田静雄 (京大院工)

17:00 〜 17:15

[19p-A12-14] 伝導性γ相酸化ガリウム薄膜の作製

松山慶太朗¹，^○大島孝仁¹，吉松公平¹，大友明^1,2 (東工大院理工¹，東工大元素戦略²)

17:15 〜 17:30

△ [19p-A12-15] ウルツ鉱型β-CuGaO2, β-AgGaO2の第一原理計算

^○（DC）鈴木一誓¹，長谷拓¹，喜多正雄²，井口雄喜³，佐藤千友紀³，柳博³，大橋直樹⁴，小俣孝久¹ (阪大¹，富山高専²，山梨大³，物材機構⁴)

17:30 〜 17:45

[19p-A12-16] β-Ga₂O₃ / SiCヘテロ接合に基づく深紫外フォトダイオード

^○中込真二，平塚慧祐，國分義弘 (石巻専修大理工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-A12-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月20日(土) 09:00 〜 11:45 A12 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[20a-A12-1] c面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の形成: 格子不整合系ヘテロエピタキシーにおける成長初期過程の表面形態の影響

^○板垣奈穂^1,2，井出智章¹，松島宏一¹，山下大輔¹，徐鉉雄¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，JSTさきがけ²)

09:15 〜 09:30

[20a-A12-2] UHVスパッタエピタキシー法によるZnMgO層の成長(Ⅱ)

^○（M2）三好佑弥，佐久間大樹，松久健司，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大工)

09:30 〜 09:45

[20a-A12-3] UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(II)

^○（M1）松久健司，佐久間大樹，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

09:45 〜 10:00

△ [20a-A12-4] c面サファイア基板上に成膜したV添加ZnO薄膜における30^o回転ドメインの抑制

^○千葉博，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院工)

10:00 〜 10:15

[20a-A12-5] V添加ZnO薄膜形成におけるAr/O2組成の効果

^○安倍大，川島知之，鷲尾勝由 (東北大院)

休憩10:15～10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[20a-A12-6] a面GaNテンプレート上ZnO膜における酸素分圧効果

^○（PC）原田善之^1,2，鈴木摂²，知京豊裕^1,2，角谷正友¹ (物材機構¹，コメット²)

10:45 〜 11:00

▲ [20a-A12-7] The optical properties of m-plane ZnO/Zn0.9Mg0.1 multiple quantum wells grown by pulsed laser deposition

Hou-Ren Chen，Yu-Cheng Huang，^〇Wen-Feng Hsieh (Department of Photonics & Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University)

11:00 〜 11:15

[20a-A12-8] RS-MBE法によるMg_xZn_1-xO薄膜の成膜とPt/Mg_xZn_1-xOショットキーフォトダイオードの作製

^○遠藤治之¹，大橋律男²，佐藤秀幸³，Mohamed Belmoubarik³，高橋強¹，野崎友大³，佐橋政司³，柏葉安兵衛⁴ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，東北大工³，岩手大⁴)

11:15 〜 11:30

[20a-A12-9] 酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオード

^○藤田恭久¹，清山拓史¹，狩野祐太¹，阿部耕介²，平儀野雄斗¹，橋本英樹³，吉田俊幸¹ (島根大院総理¹，島根大総理²，島根大戦略的研究推進センター³)

11:30 〜 11:45

[20a-A12-10] PARE法により作製したMg_xZn_1-xO:N/ZnOヘテロ接合のEL特性

^○中川玲¹，阿部貴美¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，小島勉¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

セッション一覧

合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PA5-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

▲ [17p-PA5-17] ITO/Al Transparent Electrode for Near Ultraviolet Light Emitting Diodes

△ [17p-PA5-20] エアブラシを用いた塗布法によるn型およびp型酸化亜鉛ナノ粒子層の作製と評価

▲ [17p-PA5-21] PEDOT:PSS and MoOx doped-Reduced Graphene Oxide/Single Walled Carbon Nanotubes Hybrid Film-Based Transparent Conductive Electrodes for Light Emitting Diodes

[18a-A12-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18a-A12-1] レーザープロセスを利用したZnOナノ・マイクロ結晶のパターン成長

△ [18a-A12-7] 移動度200 cm2V-1s-1を超える非晶質ZnOxNy薄膜の合成

△ [18a-A12-8] アモルファスIZO, IGO, IGZO薄膜の結晶化(1)：IZOとIGO薄膜の結晶化挙動

△ [18a-A12-9] アモルファスIZO,IGO,IGZO薄膜の結晶化(2):IGZOの結晶化挙動とデバイス特性

[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18p-A12-4] スピンコート法で作製したIGZO薄膜の特性に与える焼成温度と時間の影響

▼ [18p-A12-6] Suppression of hump effect in a-InGaZnO thin-film transistors passivated by novel photosensitive passivation layer

△ [18p-A12-14] AZO薄膜を電極に用いた透明酸化亜鉛薄膜トランジスタ

△ [18p-A12-16] シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ

[19a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19a-A12-3] クリティカルレイヤーを用いたスパッタAl添加ZnO透明電導電膜のキャリア輸送制御

△ [19a-A12-7] スプレーCVD法によるTaドープSnO2透明導電膜の作製と評価

△ [19a-A12-8] 大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

[19p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19p-A12-4] サファイア基板への酸化タングステン薄膜の分子線エピタキシャル成長

△ [19p-A12-7] α-(InxGa1-x)2O3薄膜の電気特性評価

△ [19p-A12-9] (-201)及びB面β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン単色X線トポグラフィー観察

△ [19p-A12-15] ウルツ鉱型β-CuGaO2, β-AgGaO2の第一原理計算

[20a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20a-A12-4] c面サファイア基板上に成膜したV添加ZnO薄膜における30o回転ドメインの抑制

▲ [20a-A12-7] The optical properties of m-plane ZnO/Zn0.9Mg0.1 multiple quantum wells grown by pulsed laser deposition

合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PA5-1~22] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18a-A12-1~9] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18a-A12-7] 移動度200 cm²V^-1s^-1を超える非晶質ZnO_xN_y薄膜の合成

[18p-A12-1~16] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19a-A12-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19a-A12-7] スプレーCVD法によるTaドープSnO₂透明導電膜の作製と評価

[19p-A12-1~16] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19p-A12-7] α-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜の電気特性評価

△ [19p-A12-9] (-201)及びB面β-Ga₂O₃単結晶のシンクロトロン単色X線トポグラフィー観察

[20a-A12-1~10] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20a-A12-4] c面サファイア基板上に成膜したV添加ZnO薄膜における30^o回転ドメインの抑制