[19p-C5-1~12] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

[19p-C5-5] RF-MBE法によるα-In2O3/Sapphire上への窒化物半導体成長

^○荒木努¹，増田直¹，小林知樹¹，名西憓之¹，織田真也²，人羅俊実² (立命館大¹，ROCA²)

キーワード：GaN,InN,MBE