[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PB6-3] r面サファイア基板上におけるa面GaN成長に関する検討

^○加藤貴久¹，水野尚之¹，伊藤弘晃¹，飯田大輔²，藤井高志³，福田承生⁴，上山智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,5 (名城大理工¹，東京理大²，立命館大³，福田結晶技術⁴，名大・赤﨑記念研究センター⁵)

キーワード：r-plane sapphire