[20a-A19-1~12] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20a-A19-4] 二重のレーザ加熱によるハーフインチウェハ面内の温度均一性

^○遠江栄希¹，千葉貴史^1,3，寺田昌男^1,3，清水真博^1,3，山口博隆²，石田夕起^1,2，池田伸一^1,2，ソマワン クンプアン^1,2，原史朗^1,2 (ミニマルファブ技組¹，産総研²，坂口電熱³)

キーワード：レーザ,ミニマル,加熱