[13a-2S-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[13a-2S-2] Si光導波路と集積可能な横型Siプラズモニック導波路

〇西 英隆^1,2、土澤 泰^1,2、樋田 啓³、山田 浩治^1,2、山本 剛² (1.NTTナノフォトニクスセンタ、2.NTT先端集積デバイス研、3.NTT物性研)

キーワード：プラズモニクス、Si導波路

超高密度光集積回路等への応用が期待されるギャップ型プラズモニック導波路において、微細加工技術が成熟したSiをコアに用い、コア高さ・コア幅ともに回 折限界以下のサイズを有する横型Siプラズモニック導波路を提案し、原理確認試作を行った。試作したデバイスを用いて、回折限界以下の領域での光閉じ込 め、および光伝搬（伝搬損失4 dB/um）を確認した。