11:00 〜 11:15 [14a-B13-6] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるドレイン電圧に起因する特性ばらつき 〇水谷 朋子1、竹内 潔1、鈴木 龍太1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)