[20p-H111-1~9] 機能性酸化物探索の新展開　～more oxide, beyond oxide～

[20p-H111-1] 酸化物薄膜の成膜に向けたミストCVD技術の進展

〇藤田 静雄¹、金子 健太郎¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化物半導体、ワイドバンドギャップ、エピタキシャル成長

酸化物薄膜の成膜を安全な原料を用いて行うミストCVD技術について、原理と応用例をまとめて述べる。この技術は、金属化合物の溶液に超音波を印加し、得られたミスト粒子をキャリアガスで輸送して金属原料として用いるものである。これまで、SiO₂やAl₂O₃薄膜のほか、半導体結晶のエピ成長、バンドギャップ制御、二次元成長、超格子などを実現し、制御性の優れた成膜技術として深化を遂げている。