[20p-P14-1~23] 13.10 化合物太陽電池

[20p-P14-16] 近接昇華法を用いたSnS薄膜の作製

〇阿部 聖人¹、家後 和美¹、赤木 洋二²、片桐 裕則¹、荒木 秀明¹ (1.長岡高専、2.都城高専)

キーワード：硫化錫、薄膜、近接昇華法

硫化錫(Ⅱ)(SnS)は安価で無毒、地殻中に豊富に存在する元素から構成されるバンドギャップ1.3 eVのp型半導体であり、太陽電池の光吸収層として期待される。本研究では近接昇華法(CSS法)を用いてSnS薄膜を作製した。SnS薄膜は、SLG,SLG/Mo及びFTO/CdS基板上に、真空中でのSnSソースの熱昇華によって作製された。CSS法により作製したSnS薄膜の構造や形態のソース温度依存性について調べた。