[21a-H101-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [21a-H101-11] 界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価

〇新郷 正人¹、市川 尚澄²、加藤 正史²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.名工大院工)

キーワード：界面顕微光応答法、3C-SiC、ショットキー接触

p-3C-SiC上に形成したショットキー電極の不均一性を界面顕微光応答法(SIPM)で2次元評価した。3C-SiC表面はドメインの境界が深い溝を形成しており、SIPM測定から得られた光電流像にも同一のパターンが観測された。これらの結果より本手法は、結晶性に起因する電極面内の不均一性を可視化できることが実証できた。