[21a-S011-1~12] 17.2 グラフェン

[21a-S011-2] 六方晶窒化ホウ素(hBN)/グラフェン/hBN構造におけるゼロ磁場中非局所抵抗

〇(PC)小松 克伊^1,2、渡辺 英一郎¹、津谷 大樹¹、渡邊 賢司¹、谷口 尚¹、森山 悟士¹ (1.物材機構、2.東工大)

キーワード：グラフェン、バレートロニクス

二次元原子膜材料ではスピン縮退に加えバレー縮退が存在し、バレー自由度を利用できれば、エネルギー散逸のないバレー流を利用したバレートロニクスデバイスに応用できる。我々は高精度で異なる原子膜同士を重ね合わせる装置を構築し、hBN結晶でグラフェンを挟むことで、安定な構造を作製した。移動度は低温で約150,000 cm²/Vsに達し、ゼロ磁場での非局所抵抗を測定すると、第二のディラック点で非常に大きな非局所抵抗が観測された。