2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:00 S421 (南4号館)

宮田 耕充(首都大)

11:15 〜 11:30

[22a-S421-9] ミストCVDによる二硫化モリブデン(MoS2)層状薄膜作製への挑戦

〇(M1)佐藤 翔太1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工大院知能機械システム工学コース、2.高知工大総研)

キーワード:二硫化モリブデン、ミスト化学気相成長法

低環境負荷な薄膜作製手法である「ミストCVD」により,二次元材料「MoS2」を基板上に直接作製したので報告する。