16:00 〜 18:00 [5p-PB8-8] SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性 〇(M2)高野 修平1,2、牧野 高紘2、原田 信介3、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼大院理工、2.量研、3.産総研)