2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月6日(水) 16:00 〜 18:00 PA8 (国際センター1F)

16:00 〜 18:00

△ [6p-PA8-8] AlxGa1-xN/GaN MOS-HEMT のゲート制御特性評価

〇(M1)安藤 祐次1、金木 奨太1、西口 賢弥1、橋詰 保1 (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ