講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:00 313 (313+314)

尾崎信彦(和歌山大)

10:15 〜 10:30

[15a-313-6] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御（2）

〇海津利行^1,2、田尻祐介¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：量子ドット、偏光特性、近接積層