2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 502 (502)

神谷 利夫(東工大)

10:45 〜 11:00

[16a-502-7] 微量フッ素添加による塗布型酸化物TFTの特性改善

宮川 幹司1、中田 充1、辻 博史1、藤崎 好英1、山本 敏裕1 (1.NHK技研)

キーワード:酸化物半導体、TFT

本報告では、塗布型酸化物TFTへの微量フッ素添加および水素導入・酸化処理の効果を評価したので報告する。