[16a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-503-2] 斜め研磨を用いたGaN表面近傍のカソードルミネッセンス観察

〇関口 隆史¹、木村 隆¹、羅 顕佳¹、江戸 雅晴²、高島 信也² (1.物材機構、2.富士電機)

キーワード：GaN、カソードルミネッセンス、イオン打ち込み

我々は、斜め研磨と低加速カソードルミネッセンス（CL）法を組み合わせた断面評価法を提案している。今回、GaNエピウエハにMgをイオン打ち込みした試料を観察した。Mgに関連した発光(3.27eV)は、深さ200nmで極大となった。一方バンド端発光は、表面から基板側に単調増加した。バンド端発光強度の逆数から非発光再結合中心の密度を見積もり、両者の比からMgの活性化率を見積もった。