RF-MBE 法を用いたEu 添加GaN ナノコラムLED デバイスの作製

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:00 503 (503)

小島一信(東北大)、関口寛人(豊橋技科大)、菊池昭彦(上智大)

16:15 〜 16:30

〇松崎良相¹、関口寛人¹、今西智彦¹、尾崎耕平¹、山根啓輔¹、岡田浩^2,1、岸野克巳³、若原昭浩^1,2 (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS、3.上智大理工)

キーワード：GaNナノコラム、LED、Eu