11:00 〜 11:15 [20a-141-8] 4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥(PbCセンター) 〇梅田 享英1、神成田 亘平1、奥田 貴史2、木本 恒暢2、染谷 満3、原田 信介3 (1.筑波大数物、2.京大、3.産総研)