15:30 〜 15:45 [20p-133-7] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍のボイド構造解析 -a-Si:H中の陽電子消滅に対するドーピングの影響- 〇松木 伸行1、松井 卓矢2、満汐 孝治2、ブライアン オローク2、大島 永康2、上殿 明良3 (1.神奈川大工、2.産総研、3.筑波大)