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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:15 222 (222)

齋藤真澄(東芝メモリ)、鶴岡徹(物材機構)

11:45 〜 12:00

[20a-222-11] 水分を脱離させたAg/Ta₂O₅/Pt素子のスイッチング動作

〇(M2)棚橋直哉¹、鶴岡徹²、バロブイリア³、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構、3.ユーリッヒ研究所)

キーワード：抵抗変化メモリ