[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-222-3] Pt/Nb:SrTiO₃界面動作型抵抗変化メモリにおける抵抗変化領域の赤外線イメージング

〇落合 克行^1,2、木下 健太郎¹、金子 拓海¹、上沼 睦典³、浦岡 行治³ (1.東理大理、2.鳥取大工、3.奈良先端大)

キーワード：抵抗変化メモリ、Nb:SrTiO3、ペロブスカイト