[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-438-12] TEOSを用いたSiO₂ PECVD反応モデルの構築と解析

〇李 虎¹、川口 悟^2,3、樋口 恒¹、伝宝 一樹¹、佐藤 孝紀² (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ、2.室蘭工大、3.学振特別研究員)

キーワード：PECVD、シミュレーション、モデリング