[20p-311-1~18] 17.2 グラフェン

[20p-311-18] 酸化グラフェンを触媒としたSiの化学エッチング

〇(M2)石塚 隆高¹、宇都宮 徹¹、一井 崇¹、杉村 博之¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化グラフェン、エッチング、半導体

酸化グラフェン（GO）は電極，触媒，半導体材料などの様々な用途への応用が期待されている材料である．GOやGO還元体（rGO）の触媒機能を活用することで，Geのケミカルエッチングが最近報告された．Siにおいて同様なプロセスを実証できれば，ナノ構造形成やウェハのケミカルダイシングに応用できる可能性がある．本研究では，GOおよびrGOを触媒としたSiのケミカルエッチングが可能であるか調査した．