[21a-438-1~10] 9.4 熱電変換

△ [21a-438-8] 変調ドープエピタキシャル界面導入によるZnO薄膜の出力因子増大

〇(D)石部 貴史¹、留田 純希¹、成瀬 延康²、中村 芳明¹ (1.大阪大学、2.滋賀医科大学)

キーワード：熱電材料、酸化物、ナノワイヤ

社会適応性の高いユビキタス元素ZnOで構成される透明熱電材料を実現するため、出力因子S²σの増大 (S: ゼーベック係数, σ: 電気伝導率) とκ (熱伝導率)の低減が必要不可欠である。我々は、ナノ構造界面を導入したZnOナノワイヤ埋め込み構造を形成し、S²σの大幅な増大に成功した。本研究では、低温下での電子輸送の挙動分析と電子顕微鏡による詳細な界面構造解析により、界面の物理的効果を明らかにし、S²σ増大の統一的方法論を獲得する。