12:00 〜 12:15 [17a-F206-12] Al2O3/p-InxGa1-xAs MOS界面に与える前処理の効果 〇(M1)横山 千晶1、張 志宇1、加藤 公彦1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東京大院工)