11:15 〜 11:30 [18a-G203-7] GaAsSb/InGaAsダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の検討‐正孔バンドの取り扱い‐ 〇國貞 彰吾1、福田 浩一1,2、宮本 恭幸1 (1.東工大、2.産総研)