[19a-B203-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [19a-B203-5] シリコン(100) ジャスト基板上 InAs/GaAs 量子ドットレーザの室温連続発振

〇權 晋寛¹、張 奉鎔¹、影山 健生¹、渡邉 克之²、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

キーワード：量子ドットレーザ、分子線エピタキシー、ヘテロエピタキシー

InAs/GaAs 量子ドットレーザは優れた温度特性および耐転位特性を持つため、シリコンフォトニク ス用光源として注目を浴びている。しかし、GaAs のシリコン上成長は材料特性の違いから起因する Antiphase Domain(APD)及び高密度貫通転位の発生などの問題点を持っている。また、これらを回避す るために、シリコン基板上の直接成長による量子ドットレーザの作製は加工基板や GaP などの異種材 料を成長したの Artificial Substrate を用いてをの上で行われてきた。我々は、無加工シリコ ン(100) ジャスト基板上量子ドットレーザのパルス発振について報告している。今回我々はレーザ 構造を小型化することで Si (100)ジャスト基板上直接成長された InAs/GaAs 量子ドットレーザの室 温連続発振を確認したので報告する。