2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P5 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P5-2] Epitaxial growth of highly strained RuO2 thin film by self-buffering method

〇(M2)Zainab Fatima1、Daichi Oka1、Tomoteru Fukumura1,2,3 (1.Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR、3.CSRN)

キーワード：rutile RuO2, Epitaxial growth, Lattice strain