[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-25] RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製と評価に関する研究

〇仲嶋 徹¹、黒田 寛¹、佐藤 祐喜¹、大鉢 忠¹、吉門 進三¹、竹本 菊郎²、宇野 裕行²、木村 直人²、高崎 正規² (1.同志社大院理工、2.ヤマナカヒューテック(株))

キーワード：窒化ガリウム、RFマグネトロンスパッタリング