17:00 〜 17:15 △ [10p-W541-14] Si台座構造上GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製 〇(M2)南部 誠明1、永田 拓実1、塩見 圭史1、藤原 康文1、大西 一生2、谷川 智之2、上向井 正裕1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.東北大金研)