[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-9] ポストアニール条件がBaSi₂薄膜のキャリア密度に与える影響

〇木村 裕希¹、藤原 道信¹、中川 慶彦¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：シリサイド

BaSi₂は、高い光吸収係数と、単接合太陽電池の吸収層として理想的な1.4 eVに近いバンドギャップをもつため薄膜太陽電池材料として注目されている。BaSi₂の太陽電池応用のためにはキャリア密度を制御することが必要である。本研究では真空蒸着法により作製したアンドープBaSi₂薄膜のキャリア密度にポストアニール時のカバー物質が与える影響を調査した。ポストアニール温度900℃においてカバー物質に依存して伝導型が変化することが確認された。