09:30 〜 11:30
[12a-PA3-20] ZnOナノ粒子層の低抵抗化のための熱拡散型Gaドープにおける熱処理雰囲気の影響
キーワード:半導体粒子層、ZnO、Gaドープ
ZnOナノ粒子層を薄膜トランジスタ(TFT)チャネル層へ応用する研究である。これまでn-チャネルだけでなくp-チャネルTFT動作も達成してきたが,粒子層の抵抗が極めて高い(MΩ~GΩ台)という問題があった。前回,n-ZnO粒子についてはGa2O3粒子を用いた熱拡散によりGaドープを試み,抵抗の劇的な低減化に成功した。今回は新たに熱拡散時の雰囲気ガスの影響について検討を加えた。