[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-13] Al₂O₃ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMT

〇早坂 明泰¹、青沼 遼介¹、堀田 航史¹、眞壁 勇夫²、吉田 成輝²、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.住友電気工業)

キーワード：N極性GaN HEMT、ゲート絶縁膜、コンタクト抵抗

N極性GaN HEMTは、ゲート絶縁膜が必要である。高速化の為の薄膜化を考えるとALDによるGaNへの直接成膜を試みる必要があると考え、ALDによりAl₂O₃ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMTの製作を行った。結果、オン電流は170 mA/mm, オフ電流は2.39×10^-6mA/mm, 相互コンダクタンスの最大値は28.7 mS/mm, コンタクト抵抗率とシート抵抗はそれぞれ、 3.5×10^-5Ωcm², 6700Ω/□であった。シート抵抗が大きいことから、チャネルのパッシベーションや絶縁膜の最適化が必要であると考えられる。