[9p-W631-1~11] 3.7 レーザープロセシング

△ [9p-W631-6] エキシマレーザーを用いたAl₂O₃膜アブレーションによる4H-SiCへのAlドーピング

〇(B)鎌田 晃生¹、菊地 俊文^1,2、中村 大輔¹、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：4H-SiC、エキシマレーザー、レーザードーピング

4H-SiCはワイドギャップ半導体であり，優れた材料物性を有したデバイス材料である一方，デバイス製造時の不純物ドーピングプロセスの改善が求められている．我々は，4H-SiC基板上に形成させたAl膜をレーザーアブレーションすることでAlが拡散されることを示してきた．今回，Al膜よりアブレーション閾値の低いAl₂O₃膜を用いることでレーザーアブレーションドーピング時の結晶欠陥の低減を目的とした．