[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12p-D419-2] 熱力学・動力学的条件制御に基づくSnO薄膜の移動度制御

〇簑原 誠人¹、三溝 朱音²、菊地 直人¹、阪東 恭子¹、吉田 良行¹、相浦 義弘¹ (1.産総研、2.東京理科大)

キーワード：酸化物半導体