[13a-A202-1~12] 13.9 化合物太陽電池

[13a-A202-9] CZTGSe表面における電子状態と欠陥評価

〇永井 武彦¹、高木 佑誠²、石松 晃太²、キム シンホ¹、反保 衆志¹、柴田 肇¹、仁木 栄¹、寺田 教男² (1.産総研、2.鹿児島大工)

キーワード：光電子分光法、ケステライト、太陽電池

本研究では、p型光吸収層となるケステライト結晶構造を有するCu₂ZnSn_1-xGe_xSe₄ (CZTGSe)の太陽電池性能向上を目的に、正・逆光電子分光法(UPS・IPES)ならびにX線光電子分光法（XPS）を用い、CZTGSe表面、ならびに、CdS/CZTGSeヘテロ接合界面の電子状態を評価してきた。本発表では、CZTGSe薄膜表面およびヘテロ界面の電子状態と太陽電池性能、ならびに、変換効率向上の妨げと考えられる表面欠陥について報告する。